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SiC功率半导体器件需求年增29%,X

2018-09-30
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SiC功率半导体器件需求年增29%,X

  设想一下,当设定交易价格在美元每磅,而实际交易价格已经攀升至美元每磅时,所有人都会认为价格还要进一步上涨。但芝加哥交易集团表示,期货市场面向多元化的投资群体,其中就包括对冲基金和算法交易者。与黄金和原油市场相比,牛肉期货市场产品流动性的增加,往往会造成成交冷清。芝加哥交易集团表示,根据最新的可用数据显示,占交易总量近10%的活牛期货交易合同来自2015年时的高频交易。8月17日下午,西安、北京市民联合起诉部案在北京市第三中级法院进行公开审理,案由是农业部拒绝公开一份涉及到转基因食用油内容的公函。

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)和氮化镓(GaN)等技术,现已变得更具性价比。 此外,随着市场的增长,由于规模经济的关系,或GaN晶体管和二极管在经济上也越来越具有吸引力。

本文引用地址:  功率半导体(如二极管和MOSFET)可以通过几种机制显著节省能源。

与传统的硅器件相比,二极管可以实现短得多的反向恢复时间,从而实现更快的开关。 此外,其反向恢复电荷要少很多,从而可降低开关损耗。 此外,其反向恢复电荷要少很多,从而可降低开关损耗。

就其本身而言,SiCMOSFET没有传统硅IGBT关断特性中所具有的拖尾电流,因此可以将关断损耗降低多达90%,同时可以增加开关频率,从而减少对外部平波电容的依赖。 此外,SiC的宽带隙特性,可使高压晶体管的沟道设计得很窄,从而使单位面积上的RDS(ON)降低,而使采用标准功率封装的SiC器件能够实现比采用同类封装的相应硅器件更低的传导损耗。   由于可同时实现低开关损耗和导通损耗,并可实现高击穿电压,因此工程师可设计具有低分布电流(即低I2R损耗)的高效高压电路。 这在数据中心电源等电路中越来越重要——随着数据中心面临用户数增加、消费者对流媒体服务的需求、对云分析和存储越来越依赖,以及物联网(IoT)迅速发展的影响等趋势,服务器需要更高的功率来处理越来越多的计算负载。   根据市场研究机构YoleDéveloppement的数据,全球SiC功率半导体市场将从2017年的亿美元,快速成长至2023年的亿美元,2017~2023年的市场规模年复合成长率(CAGR)为29%,推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏(PV)逆变器等方面的需求。

  为满足客户对高性能功率半导体器件日益增长的需求,德国模拟/混合信号和特种晶圆代工厂计划将其位于美国德州拉伯克市的6英寸SiC工艺产能提高一倍。 被认为是第一家在6英寸晶圆上提供SiC工艺的晶圆代工厂,此次扩产也表明了其对SiC技术和代工业务模式的承诺。   为此,该公司购买了第二台加热离子注入机,将于今年底交付,并于明年第一季度开始生产(以及时满足近期的需求预期)。

  表示,其6英寸SiC工艺在功率半导体方面的优势包括高工作电压、显著降低晶体管导通电阻、更低的传输和开关损耗、扩展的工作温度范围、导热系数更高、工作频率更高、寄生电容更低等等,可使客户实现高效功率半导体器件,包括MOSFET、JFET和肖特基二极管等。   X-FAB指出,采用SiC功率器件的系统将受益于系统尺寸和重量的减小。

此外,由于这类器件散热较少,与类似的功率半导体技术相比,效率更高。

这些优势对于用于电动汽车、风力涡轮机和太阳转换器中使用的开关电源及电源转换器尤为关键。

宽工作温度范围则提高了器件的可靠性,特别是在飞机、电动赛车和火车机车等主要工业应用中。 在便携式医疗设备和混合动力电动车等应用中,减小尺寸和重量则非常关键。

  “随着SiC的日益普及,我们早就认识到增加离子注入能力对于我们在SiC市场的持续制造的重要性。

”X-FABTexas首席执行官LloydWhetzel表示,“这只是我们针对特定SiC制造工艺改进的整体投资计划的第一步,这一步也同时展示了X-FAB对SiC行业的承诺,并保持我们在SiC代工业务中的领导地位。

”  值得注意的是,由于看好功率半导体市场的增长前景,上个月日本半导体厂商罗姆也宣布在2026年3月以前投资600亿日圆(约亿美元),让SiC功率半导体产能提高16倍。

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